国家知识产权局信息显示，上海新微技术研发中心有限公司申请一项名为“一种具有三层波导的层间耦合器及其制备方法”的专利，公开号CN121348498A，申请日期为2025年12月。

　　专利摘要显示，本发明提供一种具有三层波导的层间耦合器及其制备方法，耦合器包括：衬底和其上的包覆层；包覆层中间隔设置有氮化硅波导层、氮氧化硅波导层和硅波导层；氮化硅波导层包括入射光栅、第一传输波导和第一耦合光栅；氮氧化硅波导层包括第二耦合光栅、第二传输波导和第三耦合光栅；硅波导层包括第四耦合光栅和第三传输波导；第一耦合光栅和第二耦合光栅形成第一层间耦合区；第三耦合光栅和第四耦合光栅形成第二层间耦合区；氮氧化硅波导层的折射率自上而下逐渐增大。本申请通过使用折射率介于氮化硅和硅材料之间的氮氧化硅并使之折射率渐变作为中间过渡层，再结合光栅级联结构，解决了从氮化硅波导到硅波导折射率突变导致的模场失配问题。

　　天眼查资料显示，上海新微技术研发中心有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本144416万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新微技术研发中心有限公司共对外投资了21家企业，参与招投标项目485次，财产线条，此外企业还拥有行政许可46个。

　　声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。