国家知识产权局信息显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司申请一项名为“一种半导体器件及半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN121262853A，申请日期为2025年9月。

　　专利摘要显示，本发明实施例提供一种半导体器件及半导体器件的制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底；设置于所述衬底一侧的缓冲层；设置于所述缓冲层远离所述衬底一侧的沟道层；设置于所述沟道层远离所述衬底一侧的势垒层；设置于所述势垒层远离所述衬底一侧的帽层；设置于所述势垒层远离所述衬底的一侧的增强层；设置于所述增强层远离所述衬底一侧的导电层；沿所述半导体器件的厚度方向，所述帽层的投影与所述增强层的投影错开；所述增强层的材料包括N型简并半导体材料。本实施例提供的技术方案提高了欧姆接触的良率，改善了半导体器件的性能。

　　天眼查资料显示，英诺赛科（珠海）科技有限公司，成立于2015年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本364000万人民币。通过天眼查大数据分析，英诺赛科（珠海）科技有限公司参与招投标项目9次，财产线条，此外企业还拥有行政许可92个。

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